图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTZD3155C |
| 文档 |
Multiple Devices 27/Jan/2012 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装 | 8,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 540mA, 430mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±6 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.2 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 550@4.5V@N Channel|900@4.5V@P Cha... |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-563 |
| 标准包装名称 | SOT-563 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N|P |
| 包装长度 | 1.6 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.55 |
| 最大连续漏极电流 | 0.54@N Channel|0.43@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 540mA, 430mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 150pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 6 V |
| 连续漏极电流 | 540 mA, - 430 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-563 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns at N Channel, 35 ns at P Channel |
| 上升时间 | 4 ns at N Channel, 12 ns at P Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V, - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4 ns at N Channel, 12 ns at P Channel |
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